Revolusi Memori: DRAM+ Non-Volatile Siap untuk Produksi

Ferroelectric Memory Co. (FMC) dan Neumonda telah bergabung untuk membawa DRAM+ ke pasar — sebuah teknologi memori generasi berikutnya yang menggabungkan kinerja DRAM tradisional dengan kemampuan untuk menyimpan data tanpa daya, mirip dengan SSD.

Di jantung DRAM+ adalah hafnium oksida ferroelectric (HfO₂), yang menggantikan kapasitor konvensional yang biasanya digunakan dalam sel memori. Inovasi ini mempertahankan karakteristik kecepatan tinggi dari DRAM sambil menghilangkan kebutuhan akan daya konstan untuk menjaga data. Upaya sebelumnya menggunakan timbal zirconate titanate (PZT), tetapi bahan itu terbukti terlalu sulit dan mahal untuk diskalakan untuk desain chip modern yang miniatur.

Tidak seperti PZT, HfO₂ sepenuhnya kompatibel dengan proses fabrikasi semikonduktor yang ada — bahkan yang menggunakan teknologi sub-10nm. Ini membuka pintu untuk menciptakan chip memori multi-gigabyte, menjadikan DRAM+ sebagai pesaing serius untuk DRAM standar dalam hal kepadatan data. Neumonda akan menyediakan platform pengujian khususnya — Rhinoe, Octopus, dan Raptor — untuk mengevaluasi memori baru ini. Platform ini dirancang untuk penggunaan daya rendah dan menawarkan kemampuan analisis mendalam yang tidak dapat ditandingi oleh peralatan tradisional.

DRAM+ diharapkan pertama kali digunakan dalam elektronik otomotif, perangkat medis, dan sistem pembelajaran mesin. Selain itu, teknologi ini dapat diintegrasikan ke dalam jalur produksi saat ini tanpa perombakan besar — sebuah keuntungan kunci yang dapat mempercepat adopsinya.