Sebuah tim peneliti dari China telah mengumumkan penciptaan prototipe memori non-volatile yang 100.000 kali lebih cepat daripada rekan-rekannya yang ada. Hasilnya, dipublikasikan di Nature, menggambarkan teknologi yang mampu melakukan operasi baca dan tulis hanya dalam 0,4 nanodetik. Sebagai perbandingan, ini adalah puluhan ribu kali lebih cepat daripada chip cache berbasis SRAM saat ini.
Pengembangan ini didasarkan pada material dua dimensi — graphene dan tungsten diselenide (WSe₂). Sifat unik mereka memungkinkan para peneliti untuk mengatasi batasan fisik transistor silikon, yang sebagian besar tetap tidak berubah sejak tahun 1960-an. Dalam sistem tradisional, kecepatan dibatasi oleh kebutuhan untuk "mempercepat" elektron menggunakan medan elektromagnetik. Dalam memori baru ini, partikel berperilaku tanpa massa, yang secara drastis mengurangi kehilangan energi dan mempercepat transfer data.
Prototipe ini memiliki kapasitas yang sederhana sekitar 1 KB tetapi menunjukkan keandalan yang mengesankan dengan lebih dari 5,5 juta siklus penulisan ulang tanpa degradasi. Para peneliti mencatat bahwa tantangan utama sekarang adalah meningkatkan skala teknologi. Selama lima tahun ke depan, mereka berencana untuk meningkatkan kapasitas memori menjadi puluhan megabyte dan memulai produksi komersial.
Pengembangan ini telah berlangsung sejak 2015. Pada tahun 2021, sebuah model teoretis diusulkan, dan pada tahun 2024, chip pertama dengan panjang saluran 8 nm diciptakan, hampir setengah dari batas untuk yang berbasis silikon. Menurut para peneliti, penerapan penyimpanan semacam itu dapat mengurangi konsumsi daya prosesor dan mempercepat tugas dalam jaringan saraf, di mana kecepatan pemrosesan data sangat penting.